کارنامه یکساله میراث فرهنگی شیروان؛ از دو برابر شدن بومگردیها تا افتتاح ۹ پروژه در هفته دولتوقتی صدای دستگاهها، جای اذان دل را نمیگیرداجرای طرح گامهای عاشقانه ۴ در پارک شهدای شیروانارائه بیش از ۴۵ هزار خدمت امدادی به زائران اربعینچین اتهام آمریکا درباره «کار اجباری» در سینکیانگ را رد کرداستاندار قزوین: صیانت از منابع طبیعی وظیفه ذاتی و ملی استمهلت ثبت درخواست استفاده از سرویس مدارس تا ۱۵ شهریور تمدید شدتأکید بر ضرورت بهرهگیری از ظرفیتهای دیپلماسی عمومی برای معرفی شایسته ایرانتهران- ایرنا- پژوهشگران دانشکدگان فنی دانشگاه تهران در مطالعهای با بررسی عملکرد تکلایه WSi₂N₄ در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای تونلی(TFET)، راهکاری برای افزایش بهرهوری انرژی و بهبود عملکرد ادوات الکترونیکی ارائه کردند.
تهران- ایرنا- پژوهشگران دانشکدگان فنی دانشگاه تهران در مطالعهای با بررسی عملکرد تکلایه WSi₂N₄ در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای تونلی(TFET)، راهکاری برای افزایش بهرهوری انرژی و بهبود عملکرد ادوات الکترونیکی ارائه کردند.
دیدگاهتان را بنویسید